-
Внутризонное поглощение излучения дырками в квантовых ямах InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP
Павлов, Н. В., Зегря, Г. Г. , Зегря, А. Г., Бугров, В. Е.
Внутризонное поглощение излучения дырками в квантовых ямах InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 2. - С. 207-220
Павлов_внутризонное
-
Время жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с близкими значениями запрещенной зоны и спин-орбитального отщепления
Баженов, Н. Л., Мынбаев, К. Д. , Семакова, А. А., Зегря, Г. Г.
Время жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с близкими значениями запрещенной зоны и спин-орбитального отщепления, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 4. - С. 450-455
Баженов_время
-
Влияние эффекта электростатического экранирования на фотоэлектрические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами
Данилов, Л. В., Михайлова, М. П., Андреев, И. А., Зегря, Г. Г.
Влияние эффекта электростатического экранирования на фотоэлектрические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2017 .-
Т. 51, вып. 9. - С. 1196-1201 .-
Данилов_влияние
-
Исследование возможности изготовления напряженных сверхрешеток InAs/GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
Левин, Р. В., Лёвин, Р. В., Неведомский, В. Н., Баженов, Н. Л., Зегря, Г. Г. , Пушный, Б. В., Мизеров, М. Н.
Исследование возможности изготовления напряженных сверхрешеток InAs/GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 2. - С. 273-276
Левин_исследование
-
Чувствительность к импульсным электрофизическим воздействиям энергонасыщенных соединений на основе высокодисперсного кремния и нанопористого кремния
Зегря, Г. Г. , Савенков, Г. Г., Морозов, В. А., Зегря, А. Г., Улин, Н. В., Улин, В. П., Лукин, А. А., Брагин, В. А., Оськин, И. А., Михайлов, Ю. М.
Чувствительность к импульсным электрофизическим воздействиям энергонасыщенных соединений на основе высокодисперсного кремния и нанопористого кремния, [Электронный ресурс]
ил., табл., схем.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 4. - С.501-506
Зегря_чувствительность
-
Роль акустоэлектронного взаимодействия в формировании нанометровой периодической структуры адатомов
Пелещак, Р. М., Лазурчак, И. И. , Кузык, О. В., Данькив, О. О., Зегря, Г. Г.
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 3. - С. 318-323 .-
Пелещак_роль
-
Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной n-GaSb/n-InGaAsSb/p-AlGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами
Данилов, Л. В., Петухов, А. А., Михайлова, М. П., Зегря, Г. Г. , Иванов, Э .В., Яковлев, Ю. П.
Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной n-GaSb/n-InGaAsSb/p-AlGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 6. - С. 794-800 .-
Данилов_особенности
