-
Терагерцовое излучение фотопроводящих антенн на основе сверхрешеточных структур {LT-GaAs/GaAs:Si}
Клочков, А. Н. , Климов, Е. А., Солянкин, П. М., Конникова, М. Р., Васильевский, И. С., Виниченко, А. Н., Шкуринов, А. П., Галиев, Г. Б.
Терагерцовое излучение фотопроводящих антенн на основе сверхрешеточных структур {LT-GaAs/GaAs:Si}, [Электронный ресурс]
ил., табл., схем.
Оптика и спектроскопия, 2020, Т. 128, вып. 7. - С. 1004-1011
Клочков_терагерцовое
-
Электронный транспорт в квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs РНЕМТ при различных температурах: влияние одностороннего дельта-легирования Si
Сафонов, Д. А., Виниченко, А. Н., Каргин, Н. И., Васильевский, И. С.
Электронный транспорт в квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs РНЕМТ при различных температурах: влияние одностороннего дельта-легирования Si, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 2. - С. 201-206
Сафонов_электронный
-
Электронный квантовый транспорт в псевдоморфных и метаморфных квантовых ямах на основе In[0.2]Ga[0.8]As
Виниченко, А. Н., Сафонов, Д. А., Каргин, Н. И., Васильевский, И. С.
Электронный квантовый транспорт в псевдоморфных и метаморфных квантовых ямах на основе In[0.2]Ga[0.8]As, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 3. - С. 359-364
Виниченко_электронный
-
Особенности диагностики метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в режиме w-сканирования
Васильевский, И. С., Пушкарёв, С. С., Пушкарев, С. С., Грехов, М. М., Виниченко, А. Н., Лаврухин, Д. В., Коленцова, О. С.
Особенности диагностики метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в режиме w-сканирования , [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 4. - С. 567-573 .-
Васильевский_особенности
-
Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP
Галиев, Г. Б., Клочков, А. Н. , Васильевский, И. С., Климов, Е. А., Пушкарев, С. С., Виниченко, А. Н., Хабибуллин, Р. А., Мальцев, П. П.
Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 6. - С. 792-797
Галиев_электронные
-
Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs
Гудина, С. В., Арапов, Ю. Г., Ильченко, Е. В., Неверов, В. Н., Савельев, А. П., Подгорных, С. М. , Шелушинина, Н. Г., Якунин, М. В., Васильевский, И. С., Виниченко, А. Н.
Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2018 .-
Т. 52, вып. 12. - С. 1447-1454 .-
Гудина_неуниверсальное
-
Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs
Гудина, С. В., Арапов, Ю. Г., Савельев, А. П., Неверов, В. Н., Подгорных, С. М. , Шелушинина, Н. Г., Якунин, М. В., Васильевский, И. С., Виниченко, А. Н.
Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 12. - С. 1669-1674 .-
Гудина_квантовый
