-
Скорость захвата электронов в зависимости от глубины квантовой ямы в полупроводниковых лазерах
Соколова, З. Н., Бахвалов, К. В., Лютецкий, А. В., Пихтин, Н. А., Тарасов, И. С., Асрян, Л. В.
Скорость захвата электронов в зависимости от глубины квантовой ямы в полупроводниковых лазерах, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 5. - С. 679-682 .-
Соколова_скорость
-
К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP
Веселов, Д. А. , Шашкин, И. С., Бахвалов, К. В., Лютецкий, А. В., Пихтин, Н. А., Растегаева, М. Г., Слипченко, С. О., Стрелец, В. А., Шамахов, В. В., Тарасов, И. С.
К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 9. - С. 1247-1252 .-
Веселов_к вопросу
-
Исследование импульсных характеристик полупроводниковых лазеров с расширенным волноводом при низких температурах (110-120K)
Веселов, Д. А. , Шашкин, И. С., Бобрецова, Ю. К., Бахвалов, К. В., Лютецкий, А. В., Капитонов, В. А., Пихтин, Н. А., Слипченко, С. О., Соколова, З. Н., Тарасов, И .С.
Исследование импульсных характеристик полупроводниковых лазеров с расширенным волноводом при низких температурах (110-120K), [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 10. - С. 1414-1419 .-
Веселов_исследование
-
Одномодовые лазеры (1050нм) мезаполосковой конструкции на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом
Золотарёв, В. В., Копьёв, П. С. , Николаев, Д. Н., Шамахов, В. В., Веселов, Д. А. , Бахвалов, К. В., Золотарев, В. В., Слипченко, С. О., Пихтин, Н. А., Копьев, П. С.
Одномодовые лазеры (1050нм) мезаполосковой конструкции на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом, [Электронный ресурс]
цв. ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 4. - С. 414-419 .-
Шашкин_одномодовые
-
Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом
Шашкин, И. С., Золотарёв, В. В., Николаев, Д. Н., Шамахов, В. В., Бахвалов, К. В., Лютецкий, А. В., Золотарев, В. В., Слипченко, С. О., Пихтин, Н. А., Копьев, П. С.
Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом, [Электронный ресурс]
цв. ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 4. - С. 408-413
Шашкин_излучательные
