-
Переключение между режимами синхронизации мод и модуляции добротности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами при изменении свойств поглотителя за счет эффекта Штарка
Гаджиев, И. М., Буяло, М. С., Губенко, А. Е., Егоров, А. Ю., Усикова, А. А., Ильинская, Н. Д., Лютецкий, А. В., Задиранов, Ю. М., Портной, Е. Л.
Переключение между режимами синхронизации мод и модуляции добротности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами при изменении свойств поглотителя за счет эффекта Штарка, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 6. - С. 843-847 .-
Гаджиев_переключение
-
Процессы переноса экситонных возбуждений и релаксация в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами
Алешкин, В. Я., Алёшкин, В. Я., Гавриленко, Л. В., Гапонова, Д. М., Красильник, З. Ф. , Крыжков, Д. И.
Процессы переноса экситонных возбуждений и релаксация в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 12. - С. 1720-1724 .-
Алешкин_процессы
-
Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3-5 мкм
Уточкин, В. В., Дубинов, А. А., Кудрявцев, К. Е., Гавриленко, В. И., Куликов, Н. С., Фадеев, М. А., Румянцев, В. В., Михайлов, Н. Н. , Дворецкий, С. А. , Морозов, С. В.
Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3-5 мкм, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 10. - С. 1163-1168 .-
Кушков_исследование
-
Спектры электроотражения множественных квантовых ям InGaN/GaN, помещенных в неоднородное электрическое поле p-n-перехода
Авакянц, Л. П., Асланян, А .Э., Боков, П. Ю., Положенцев, К. Ю., Червяков, А. В.
Спектры электроотражения множественных квантовых ям InGaN/GaN, помещенных в неоднородное электрическое поле p-n-перехода, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 2. - С. 198-201
Авакянц_спектры
-
Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs
Горшков, А. П., Левичёв, С. Б. , Волкова, Н. С., Воронин, П. Г., Здоровейщев, А. В. , Истомин, Л. А., Павлов, Д. А., Усов, Ю. В., Левичев, С. Б.
Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2017 .-
Т. 51, вып. 11. - С. 1447-1450 .-
Горшков_влияние
-
Полностью электрическое управление разверткой лазерного луча на основе квантово-размерной гетероструктуры с интегрированным распределенным брэгговским зеркалом
Шашкин, И. С.
Полностью электрическое управление разверткой лазерного луча на основе квантово-размерной гетероструктуры с интегрированным распределенным брэгговским зеркалом, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 12. - С. 1491-1498
Шашкин_полностью
-
Моделирование эффекта Штарка в анализе спектров комбинационного рассеяния света гистологических препаратов колоректальных аденокарцином
Мотевич, И. Г., Шульга, А. В., Маскевич, С. А., Стрекаль, Н. Д.
Моделирование эффекта Штарка в анализе спектров комбинационного рассеяния света гистологических препаратов колоректальных аденокарцином, И. Г. Мотевич, А. В. Шульга, С. А. Маскевич, Н. Д. Стрекаль
// Журнал прикладной спектроскопии .-
2023 .-
Т. 90, № 2. - С. 186-190 .-