-
Генерация поверхностных электронных состояний на границе раздела кремний-сверхтонкий окисел в процессе полевого повреждения структур металл-окисел-полупроводник
Гольдман, Е. И., Левашов, С. А., Нарышкина, В. Г., Чучева, Г. В.
Генерация поверхностных электронных состояний на границе раздела кремний-сверхтонкий окисел в процессе полевого повреждения структур металл-окисел-полупроводник, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2017 .-
Т. 51, вып. 9. - С. 1185-1188 .-
Гольдман_генерация
-
Особенности характеристик устойчивых к полевым повреждениям структур кремний-сверхтонкий окисел-поликремний
Гольдман, Е. И., Левашов, С. А., Чучева, Г. В.
Особенности характеристик устойчивых к полевым повреждениям структур кремний-сверхтонкий окисел-поликремний, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 4. - С. 481-484
Гольдман_особенности
-
Влияние материала подложки на структуру и электрофизические свойства тонких пленок Ba[x]Sr[1-x]TiO[3]
Афанасьев, М. С., Киселев, Д. А., Левашов, С. А., Лузанов, В. А., Набиев, А. Э., Нарышкина, В. Г., Сивов, А. А., Чучева, Г. В.
Влияние материала подложки на структуру и электрофизические свойства тонких пленок Ba[x]Sr[1-x]TiO[3], [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2018 .-
Т. 60, вып. 5. - С. 951-954 .-
Афанасьев_влияние материала
-
Зависимость электрофизических характеристик структур металл-сегнетоэлектрик-полупроводник от материала верхнего электрода
Афанасьев, М. С., Киселёв, Д. А., Белорусов, Д. А., Киселев, Д. А., Сивов, А. А., Чучева, Г. В.
Зависимость электрофизических характеристик структур металл-сегнетоэлектрик-полупроводник от материала верхнего электрода, [Электронный ресурс]
цв. ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 11. - С. 1219-1223 .-
Афанасьев_зависимость
-
Электропроводность структур металл–диэлектрик–полупродник на основе сегнетоэлектрических пленок
Афанасьев, М. С., Гольдман, Е. И., Чучева, Г. В., Набиев, А. Э., Гусейнов, Дж. И., Алиев, Н. Ш.
ил.
// Физика твердого тела .-
2020 .-
Т. 62, вып. 1. - С. 121-124 .-
Афанасьев_электропроводность
-
Создание и исследования структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок
Афанасьев, М. С., Киселев, Д. А., Левашов, С. А., Сивов, А. А., Чучева, Г. В.
Создание и исследования структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2020 .-
Т. 62, вып. 3. - С. 422-426 .-
Афанасьев_создание
-
Влияние температуры синтеза на микроструктуру и электрофизические свойства пленок BST 80/20
Афанасьев, М. С., Киселев, Д. А., Левашов, С. А., Сивов, А. А., Чучева, Г. В.
Влияние температуры синтеза на микроструктуру и электрофизические свойства пленок BST 80/20, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2019 .-
Т. 61, вып. 10. - С. 1948-1952 .-
Афанасьев_влияние
-
Исследования электрофизических свойств сегнетоэлектрических пленок Ba[0.8]Sr[0.2]TiO[3] в параэлектрическом состоянии
Гольдман, Е. И., Нарышкина, В. Г., Чучева, Г. В.
Исследования электрофизических свойств сегнетоэлектрических пленок Ba[0.8]Sr[0.2]TiO[3] в параэлектрическом состоянии, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2020 .-
Т. 62, вып. 8. - С. 1226-1231 .-
Гольдман_исследования
-
О природе повышения подвижности электронов в канале инверсии у границы раздела кремний-окисел после полевого воздействия
Гольдман, Е. И., Набиев, А. Э., Нарышкина, В. Г., Чучева, Г. В.
О природе повышения подвижности электронов в канале инверсии у границы раздела кремний-окисел после полевого воздействия, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 1. - С. 89-92
Гольдман_о природе
-
Определение параметров структур металл-диэлектрик-полупроводник со сверхтонким изолирующим слоем из высокочастотных вольт-фарадных характеристик
Гольдман, Е. И., Кухарская, Н. Ф., Левашов, С. А., Чучева, Г. В.
Определение параметров структур металл-диэлектрик-полупроводник со сверхтонким изолирующим слоем из высокочастотных вольт-фарадных характеристик, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 1. - С. 46-49
Гольдман_определение
