Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Латышев, А. В.

Статьи. Автор - Латышев, А. В.

• Исследование процесса локального анодного окисления тонких пленок GeO и создание наноструктур на их основе
  Астанкова, К. Н., Кожухов, А. С., Азаров, И. А. , Горохов, Е. Б., Щеглов, Д. В., Латышев, А. В.
  
  Исследование процесса локального анодного окисления тонких пленок GeO и создание наноструктур на их основе, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2018 .- Т. 60, вып. 4. - С. 696-700 .- Астанкова_исследование
• Зарождение двумерных островков на Si(111) при высокотемпературном эпитаксиальном росте
  Ситников, С. В., Косолобов, С. С., Латышев, А. В.
  
  Зарождение двумерных островков на Si(111) при высокотемпературном эпитаксиальном росте, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 2. - С. 212-215 Ситников_зарождение
• Обратимая электрохимическая модификация поверхности полупроводников зондом атомно-силового микроскопа
  Кожухов, А. С., Щеглов, Д. В., Латышев, А. В.
  
  Обратимая электрохимическая модификация поверхности полупроводников зондом атомно-силового микроскопа , [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 4. - С. 443-445 .- Кожухов_обратимая
• Атомные ступени на ультраплоской поверхности Si(111) при сублимации
  Ситников, С. В., Латышев, А. В., Косолобов, С. С.
  
  Атомные ступени на ультраплоской поверхности Si(111) при сублимации, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 5. - С. 607-611 .- Ситников_атомные