| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Зарождение двумерных островков на Si(111) при высокотемпературном эпитаксиальном росте Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Методом in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии при высокотемпературном эпитаксиальном росте проведены исследования процесса зарождения двумерных островков на ультраплоской поверхности Si(111). В интервале температур 900-1180°C экспериментально измерен критический размер (D[crit]) террасы, при достижении которого в центре зарождается двумерный островок, при различных потоках кремния на поверхность. Установлено, что кинетика зародышеобразования определяется диффузией адсорбированных атомов кремния вплоть до температуры 1180°C, а минимальный критический размер зародыша соответствует 12 атомам кремния. |
| Ключевые слова | двумерные островки |
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 2. - С. 212-215 |
|
| Имя макрообъекта | Ситников_зарождение |
