| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/679058478 |
| Дата корректировки | 11:30:09 8 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.02.44107.8332 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Ситников, С. В. | |
|
Зарождение двумерных островков на Si(111) при высокотемпературном эпитаксиальном росте Электронный ресурс |
|
| 2D islands nucleation on Si(111) during high temperature epitaxial growth | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | Методом in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии при высокотемпературном эпитаксиальном росте проведены исследования процесса зарождения двумерных островков на ультраплоской поверхности Si(111). В интервале температур 900-1180°C экспериментально измерен критический размер (D[crit]) террасы, при достижении которого в центре зарождается двумерный островок, при различных потоках кремния на поверхность. Установлено, что кинетика зародышеобразования определяется диффузией адсорбированных атомов кремния вплоть до температуры 1180°C, а минимальный критический размер зародыша соответствует 12 атомам кремния. |
| Ключевые слова | двумерные островки |
|
молекулярно-лучевая эпитаксия двумерно-островковый механизм роста кремний |
|
|
Косолобов, С. С. Латышев, А. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 2. - С. 212-215 |
|
| Имя макрообъекта | Ситников_зарождение |
| Тип документа | b |
