-
Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку
Охапкин, А. И., Королёв, С. А., Краёв, С. А., Юнин, П. А., Архипова, Е. А., Краев, С. А., Королев, С. А., Дроздов, М. Н., Шашкин, В. И.
Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку, [Электронный ресурс]
цв. ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 865-867
Охапкин_формирование
-
Модификация соотношения sp{2}/sp{3}-гибридного углерода в PECVD пленках DLC
Юнин, П. А., Королёв, С. А., Краёв, С. А., Охапкин, А. И., Дроздов, М. Н., Королев, С. А., Архипова, Е. А., Краев, С. А., Дроздов, Ю. Н., Шашкин, В. И.
Модификация соотношения sp{2}/sp{3}-гибридного углерода в PECVD пленках DLC, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 855-858
Юнин_модификация
-
Особенности газофазной эпитаксии GaAs на непланарных подложках
Дроздов, Ю. Н., Краёв, С. А., Краев, С. А., Охапкин, А. И., Данильцев, В. М., Скороходов, Е. В.
Особенности газофазной эпитаксии GaAs на непланарных подложках, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 958-961
Дроздов_особенности
-
Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника
Данильцев, В. М., Краёв, С. А., Демидов, Е. В., Дроздов, М. Н., Дроздов, Ю. Н., Краев, С. А., Суровегина, Е. А., Шашкин, В. И., Юнин, П. А.
Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 11. - С. 1459-1462 .-
Данильцев_сильно
