Поиск

Ионная имплантация в полупроводники и другие материалы

Авторы: Палмер, Д. Калбицер, С. Эйзен, Ф. Фоти, Дж. Литл, Р. Люка, Ш. Трюш, Р. Келли, Р. Поут, Дж.
Заказ Местонахождение Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/637682354
Дата корректировки 16:02:04 17 марта 2020 г.
Вид содержания и средства доступа 2-80
Служба первич. каталог. Голубева
БГТУ
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 539.2
Полочн. индекс 539
Авторский знак И75
Палмер, Д.
Ионная имплантация в полупроводники и другие материалы
Текст
сборник статей
пер. с англ. под ред. В. С. Вавилова
Место издания Москва
Издательство Мир
Дата издания оригинала 1980
Объем 330, [1] с.
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Серия Новости физики твердого тела
N тома вып. 10
Аннотация Рассматриваются вопросы ионной имплантации — способ введения атомов примесей в поверхностный слой пластины или эпитаксиальной плёнки путём бомбардировки его поверхности пучком ионов c высокой энергией. Широко используется при создании полупроводниковых приборов методом планарной технологии.
внедрение ускоренных ионов
ионная имплантация
микроэлектронные устройства
твердотельная электроника
твердые тела
ионная бомбардировка
ионы
высокие энергии
Другие авторы Калбицер, С.
Эйзен, Ф.
Фоти, Дж.
Литл, Р.
Люка, Ш.
Трюш, Р.
Келли, Р.
Поут, Дж.
Тип документа m