Поиск

Усиленная люминесценция в лазерных диодных линейках на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs при высоких уровнях накачки

Авторы: Богданович, М. В. Кабанов, В. В. Лебедок, Е. В. Романенко, А. А. Рябцев, А. Г. Рябцев, Г. И. Щемелев, М. А. Мехта, С. К.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/221377809
Дата корректировки 20:33:33 13 октября 2015 г.
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 535.37:621.371.378
Богданович, М. В.
Усиленная люминесценция в лазерных диодных линейках на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs при высоких уровнях накачки
Текст
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 10 назв.
коэффициент потерь
лазерная диодная линейка
усиленная люминесценция
Кабанов, В. В.
Лебедок, Е. В.
Романенко, А. А.
Рябцев, А. Г.
Рябцев, Г. И.
Щемелев, М. А.
Мехта, С. К.
Журнал прикладной спектроскопии
2011
Т. 78, № 6. - С. 868-873
Тип документа b