Усиленная люминесценция в лазерных диодных линейках на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs при высоких уровнях накачки
Богданович, М. В., Кабанов, В. В., Лебедок, Е. В., Романенко, А. А., Рябцев, А. Г., Рябцев, Г. И., Щемелев, М. А., Мехта, С. К.
Усиленная люминесценция в лазерных диодных линейках на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs при высоких уровнях накачки, [Текст]
ил.
Журнал прикладной спектроскопии, 2011, Т. 78, № 6. - С. 868-873
