Поиск

Усиленная люминесценция в лазерных диодных линейках на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs при высоких уровнях накачки

Авторы: Богданович, М. В. Кабанов, В. В. Лебедок, Е. В. Романенко, А. А. Рябцев, А. Г. Рябцев, Г. И. Щемелев, М. А. Мехта, С. К.
Подробная информация
Индекс УДК 535.37:621.371.378
Усиленная люминесценция в лазерных диодных линейках на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs при высоких уровнях накачки
Текст
Журнал прикладной спектроскопии
2011
Т. 78, № 6. - С. 868-873