| Маркер записи | n 22 3 4500 |
| Контрольный номер | opsp22_to130_no11_ss1718_ad1 |
| Дата корректировки | 9:46:32 27 января 2023 г. |
| Кодируемые данные | 230112s2022||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
|
10. 21883/OS. 2022. 11. 53779. 3834-22 DOI |
|
| Системный контрольный номер | RUMARS-opsp22_to130_no11_ss1718_ad1 |
| AR-MARS | |
| Служба первич. каталог. |
Фундаментальная библиотека Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого МАРС |
| Код языка каталог. | rus |
| Код языка издания |
rus rus |
| Индекс УДК | 537.311.33 |
| Индекс ББК | 22.379 |
| Таблицы для массовых библиотек | |
|
Перевалов, Т. В. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН 070 |
|
|
Оптические свойства пиролитического нитрида кремния SiN[x], обогащённого кремнием Т. В. Перевалов, Е. В. Спесивцев, С. В. Рыхлицкий [и др.] |
|
| Объем | 1 файл (1, 73 Мб) |
| Текст | |
| электронный | |
| Примечание | Загл. с титул. экрана |
| Библиография | Библиогр.: с. 1722 (12 назв.) |
| Аннотация | Нестехиометрический нитрид кремния SiN[x], обогащённый кремнием, является перспективным материалом для разработки энергонезависимой мемристорной памяти. В работе изучаются оптические свойства SiN[x], синтезированного в реакторе пониженного давления при 800 С при разных соотношения дихлорсилана (SiH[2]Cl[2]) к аммиаку (NH[3]). Установлено, что для плёнок, синтезированных при отношении SiH[2]Cl[2]/NH[3]=1/1, 1/2 и 1/3, соответствующие значения ширины запрещённой зоны составляют 3. 83, 4. 17 и 4. 40 eV. При этом соответствующие значения параметра x, найденные по рассчитанной из первых принципов зависимости значения ширины запрещённой зоны SiN]x[ от x, составляют 1. 26, 1. 30 и 1. 32. Таким образом, увеличивая отношение SiH[2]Cl[2]/NH[3], можно создавать нестехиометрические плёнки SiN[x] с контролируемой степенью обогащения кремнием при высокой однородности химического состава и толщины. |
| Примеч. о целев. назн. | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
|
Физика AR-MARS Физика полупроводников и диэлектриков AR-MARS |
|
| Ключевые слова |
нитрид кремния пиролитический нитрид кремния оптические свойства обогащение кремнием мемристоры коэффициент поглощения квантово-химическое моделирование |
|
Спесивцев, Е. В. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН 070 Рыхлицкий, С. В. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН 070 Бобовников, П. Г. Научно-исследовательский институт молекулярной электроники 070 Красников, Г. Я. Научно-исследовательский институт молекулярной электроники 070 Гриценко, В. А. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН; Новосибирский государственный технический университет 070 |
|
| ISSN | 0030-4034 |
| Название источника | Оптика и спектроскопия |
| Место и дата издания | 2022 |
| Прочая информация | Т. 130, № 11. - С. 1718-1722 |
|
RU 19013582 20230112 RCR |
|
|
RU 19013582 20230112 |
|
|
RU AR-MARS 20230117 RCR |
|
|
RU AR-MARS 20230117 |
|
|
https://www.elibrary.ru/item.asp?id=50006381 |
|
| Тип документа | b |
|
code year to no ss ad |
|
|
opsp 2022 130 11 1718 1 |
|
| 13761 | |
| Оптика низкоразмерных структур, мезоструктур и метаматериалов | |
| drc cu | |
| uabc | |
| html |
