Поиск

Особенности характеристик устойчивых к полевым повреждениям структур кремний-сверхтонкий окисел-поликремний

Авторы: Гольдман, Е. И. Левашов, С. А. Чучева, Г. В.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/695835716
Дата корректировки 15:50:51 18 января 2022 г.
10.21883/FTP.2019.04.47444.9011
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Гольдман, Е. И.
Особенности характеристик устойчивых к полевым повреждениям структур кремний-сверхтонкий окисел-поликремний
Электронный ресурс
Features of characteristics of field-resistant silicon-ultrathin-oxide-polysilicon structures
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 14 назв.
Аннотация Приведены результаты исследований особенностей вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик структур кремний-сверхтонкий окисел-поликремний, устойчивых к полевым повреждениям. Оказалось, что происходящая с изменением полевого напряжения общая перезарядка сконцентрированных у границы раздела подложка-изолятор локализованных электронных состояний и неосновных носителей на порядок выше, чем у подверженных повреждению полевым стрессовым воздействием образцов. Туннельная вольт-амперная характеристика имеет существенно асимметричный вид: ток, протекающий из полевого электрода в кремниевую подложку, на несколько порядков меньше тока, протекающего из кремния в поликремний, при одинаковых значениях внешнего напряжения, падающего на изолирующий слой. Для объяснения такой асимметрии предположено, что в переходном слое от поликремния к окислу потенциальный барьер, разделяющий полупроводниковые электрод и подложку, имеет высоту ? 1 эВи поэтому всегда препятствует электропереносу; для обратных потоков этот барьер перестает ограничивать проводимость, как только уровень туннелирования станет выше него.
Ключевые слова кремний-сверхтонкий
окисел-поликремний
полупроводники
полевые электроды
кремниевые подложки
поликремний
туннельная вольт-амперная характеристика
Левашов, С. А.
Чучева, Г. В.
Физика и техника полупроводников
2019
Т. 53, вып. 4. - С. 481-484
Имя макрообъекта Гольдман_особенности
Тип документа b