Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/695835716 |
Дата корректировки | 15:50:51 18 января 2022 г. |
10.21883/FTP.2019.04.47444.9011 | |
Служба первич. каталог. | Шавель |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 621.315.592 |
Гольдман, Е. И. | |
Особенности характеристик устойчивых к полевым повреждениям структур кремний-сверхтонкий окисел-поликремний Электронный ресурс |
|
Features of characteristics of field-resistant silicon-ultrathin-oxide-polysilicon structures | |
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
Библиография | Библиогр.: 14 назв. |
Аннотация | Приведены результаты исследований особенностей вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик структур кремний-сверхтонкий окисел-поликремний, устойчивых к полевым повреждениям. Оказалось, что происходящая с изменением полевого напряжения общая перезарядка сконцентрированных у границы раздела подложка-изолятор локализованных электронных состояний и неосновных носителей на порядок выше, чем у подверженных повреждению полевым стрессовым воздействием образцов. Туннельная вольт-амперная характеристика имеет существенно асимметричный вид: ток, протекающий из полевого электрода в кремниевую подложку, на несколько порядков меньше тока, протекающего из кремния в поликремний, при одинаковых значениях внешнего напряжения, падающего на изолирующий слой. Для объяснения такой асимметрии предположено, что в переходном слое от поликремния к окислу потенциальный барьер, разделяющий полупроводниковые электрод и подложку, имеет высоту ? 1 эВи поэтому всегда препятствует электропереносу; для обратных потоков этот барьер перестает ограничивать проводимость, как только уровень туннелирования станет выше него. |
Ключевые слова | кремний-сверхтонкий |
окисел-поликремний полупроводники полевые электроды кремниевые подложки поликремний туннельная вольт-амперная характеристика |
|
Левашов, С. А. Чучева, Г. В. |
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 4. - С. 481-484 |
|
Имя макрообъекта | Гольдман_особенности |
Тип документа | b |