| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/695733441 |
| Дата корректировки | 11:22:47 17 января 2022 г. |
| 10.21883/FTP.2019.02.47114.8966 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Фролов, Д. С. | |
|
Техника электрохимического вольт-фарадного профилирования сильно легированных структур с резким профилем распределения примеси Электронный ресурс |
|
| Technique of electrochemical capacitance-voltage profiling for high doped structures with sharp doping profile | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 17 назв. |
| Аннотация | Рассмотрены особенности применения метода электрохимического вольт-фарадного профилирования для исследования сильно легированных структур с резким профилем распределения примеси. Приведены критерии и даны рекомендации выбора оптимальных параметров измерения, обоснована необходимость увеличения частоты, при которой измеряется емкость в процессе профилирования. Описанная методика рассмотрена на примере профилирования кремниевых структур p-типа с ионной имплантацией, а также n-GaAs эпитаксиальных и подложечных структур для pHEMT приборов. |
| Ключевые слова | электрохимическое вольт-фарадное профилирование |
|
вольт-фарадное профилирование полупроводниковые структуры электрохимическое травление ионная имплантация ионно-имплантированные кремниевые структуры кремниевые структуры |
|
|
Яковлев, Г. Е. Зубков, В. И. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 2. - С. 281-286 |
|
| Имя макрообъекта | Фролов_техника |
| Тип документа | b |
