| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/694170609 |
| Дата корректировки | 9:17:01 30 декабря 2021 г. |
| DOI | 10.21883/FTP.2019.01.46986.8958 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Михайлова, М. П. | |
|
Электролюминесценция в гетероструктурах n-GaSb/InAs/p-GaSb с одиночной квантовой ямой, выращенных методом МОГФЭ Текст |
|
| Electroluminescence in n-GaSb/InAs/p-GaSb heterostructures with a single quantum well grown by MOVPE | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 14 назв. |
| Аннотация | Сообщается об исследовании электролюминесцентных характеристик гетероструктуры II типа n-GaSb/n-InAs/p-GaSb с глубокой одиночной квантовой ямой, выращенной методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Рассчитаны зонная энергетическая диаграмма структуры и положение уровней энергии электронов и тяжелых дырок. Из анализа вольт-амперных характеристик сделан вывод о туннельном механизме протекания темнового тока в изучаемой структуре. Обнаружена интенсивная электролюминесценция в спектральном диапазоне 3-4мкм при T = 77 и 300 K, отличающаяся слабой температурной зависимостью. Основная полоса электролюминесценции (hv = 0.40 эВ при77 K) соответствует прямым излучательным переходам между электронами с уровня E[1] в квантовой яме InAs итяж елыми дырками континуума на гетерогранице n-GaSb/n-InAs. Малоинтенсивный пик (hv = 0.27 эВ, T = 77K) обусловлен непрямыми (туннельными) переходами с первого уровня электронов в квантовой яме на второй уровень тяжелых дырок, локализованных в разрыве валентной зоны на гетерогранице n-InAs/p-GaSb. |
| Лёвин, Р. В. | |
| Ключевые слова | электролюминесценция |
|
гетероструктуры одиночные квантовые ямы газозофазная эпитаксия металлоорганические соединения инфракрасные светодиоды фотодиоды светоизлучающие диоды |
|
|
Иванов, Э. В. Данилов, Л. В. Левин, Р. В. Андреев, И. А. Куницына, Е. В. Яковлев, Ю. П. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Т. 53, вып. 1. - С. 50-54 |
| Имя макрообъекта | Михайлова_электролюминесценция |
| Тип документа | b |
