| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/694093015 |
| Дата корректировки | 11:41:29 29 декабря 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2019.01.46984.8949 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Галеева, А. В. | |
|
Фотоэлектромагнитный эффект, индуцированный терагерцовым излучением, в топологических изоляторах (Bi[1-x]Sb[x])[2]Te[3] Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 29 назв. |
| Аннотация | На основании анализа фотоэлектромагнитного эффекта в трехмерных топологических изоляторах (Bi[1-x] Sb[x])[2]Te[3] (0 <= x <= 0.55) сделана оценка подвижности поверхностных носителей заряда. Высокая степень вырождения газа носителей в сочетании с низкой энергией возбуждающего терагерцового кванта обеспечивали неравновесный процесс, связанный исключительно с тепловым разогревом носителей. В этих условиях фотоэдс определяется градиентом подвижности поверхностных и объемных носителей. Фотоэдс и, следовательно, градиент подвижности полностью исчезают при увеличении объемной подвижности до 10{5} см{2} · В{-1} · с{-1}. В образцах со сравнительно низкой объемной подвижностью при тех же условиях эксперимента фотоэдс отчетливо наблюдается. |
| Ключевые слова | фотоэлектромагнитные эффекты |
|
трехмерные топологические изоляторы топологические изоляторы терагерцовое лазерное излучение узкозонные полупроводники полупроводники фотоэдс высокоподвижные носители |
|
|
Гоманько, М. А. Тамм, М. Е. Яшина, Л. В. Данилов, С. Н. Рябова, Л. И. Хохлов, Д. Р. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 1. - С. 41-45 |
|
| Имя макрообъекта | Галеева_фотоэлектромагнитный |
| Тип документа | b |
