Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Хохлов, Д. Р.

Статьи. Автор - Хохлов, Д. Р.

• О проблемах физической науки и образования в современных условиях
  Хохлов, Д. Р.
  
  О проблемах физической науки и образования в современных условиях, [Текст] Alma mater, 2010, № 3 .- С.20-28
• Модификация спектров фотопроводимости в композитных структурах ZnO-квантовые точки CdSe под действием дополнительного фотовозбуждения
  Дроздов, К. А., Крылов, И. В., Чижов, А. С., Румянцева, М. Н., Pябова, Л. И., Хохлов, Д. Р.
  
  Модификация спектров фотопроводимости в композитных структурах ZnO-квантовые точки CdSe под действием дополнительного фотовозбуждения, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 7. - С. 763-767 Дроздов_модификация
• Особенности транспорта в топологической фазе Hg[0.87]Cd[0.13]Te в условиях терагерцового фотовозбуждения
  Галеева, А. В., Казаков, А. С., Артамкин, А. И., Дворецкий, С. А. , Михайлов, Н. Н. , Банников, М. И., Данилов, С. Н., Рябова, Л. И., Хохлов, Д. Р.
  
  Особенности транспорта в топологической фазе Hg[0.87]Cd[0.13]Te в условиях терагерцового фотовозбуждения, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 873-877 Галеева_особенности
• Оптические и транспортные свойства эпитаксиальных пленок Pb[0.74]Sn[0.26]Te(In) с модифицируемой поверхностью
  Иконников, А. В., Дудин, В. C., Артамкин, А. И., Акимов, А. Н., Климов, А. Э., Терещенко, О. Е., Рябова, Л. И., Хохлов, Д. Р.
  
  Оптические и транспортные свойства эпитаксиальных пленок Pb[0.74]Sn[0.26]Te(In) с модифицируемой поверхностью, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 896-901 Иконников_оптические
• Об итогах 12-й Российской конференции по физике полупроводников (Ершово, Звенигород, Москва, 20-25 сентября 2015 г.)
  Хохлов, Д. Р.
  
  Об итогах 12-й Российской конференции по физике полупроводников (Ершово, Звенигород, Москва, 20-25 сентября 2015 г.), [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 6. - С. 721-724 Хохлов_об итогах
• Фотоэлектромагнитный эффект, индуцированный терагерцовым излучением, в топологических изоляторах (Bi[1-x]Sb[x])[2]Te[3]
  Галеева, А. В., Гоманько, М. А., Тамм, М. Е., Яшина, Л. В., Данилов, С. Н., Рябова, Л. И., Хохлов, Д. Р.
  
  Фотоэлектромагнитный эффект, индуцированный терагерцовым излучением, в топологических изоляторах (Bi[1-x]Sb[x])[2]Te[3], [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 1. - С. 41-45 Галеева_фотоэлектромагнитный