-
Особенности транспорта в топологической фазе Hg[0.87]Cd[0.13]Te в условиях терагерцового фотовозбуждения
Галеева, А. В., Казаков, А. С., Артамкин, А. И., Дворецкий, С. А. , Михайлов, Н. Н. , Банников, М. И., Данилов, С. Н., Рябова, Л. И., Хохлов, Д. Р.
Особенности транспорта в топологической фазе Hg[0.87]Cd[0.13]Te в условиях терагерцового фотовозбуждения, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 873-877
Галеева_особенности
-
Изготовление p-n-переходов в графене и их применение для детектирования терагерцового излучения
Васильева, Г. Ю., Васильев, Ю. Б., Новиков, С. Н., Данилов, С. Н., Ганичев, С. Д.
Изготовление p-n-переходов в графене и их применение для детектирования терагерцового излучения, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 8. - С. 949-953
Васильева_изготовление
-
Фотоэлектромагнитный эффект, индуцированный терагерцовым излучением, в топологических изоляторах (Bi[1-x]Sb[x])[2]Te[3]
Галеева, А. В., Гоманько, М. А., Тамм, М. Е., Яшина, Л. В., Данилов, С. Н., Рябова, Л. И., Хохлов, Д. Р.
Фотоэлектромагнитный эффект, индуцированный терагерцовым излучением, в топологических изоляторах (Bi[1-x]Sb[x])[2]Te[3], [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 1. - С. 41-45
Галеева_фотоэлектромагнитный
-
Терагерцовая фотопроводимость в графене в магнитном поле
Васильев, Ю. Б., Новиков, С. Н., Данилов, С. Н., Ганичев, С. Д.
Терагерцовая фотопроводимость в графене в магнитном поле, [Электронный ресурс]
цв. ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 4. - С. 393-388
Васильев_терагерцовая