Поиск

Эпитаксиальные квантовые точки InGaAs в матрице Al[0.29]Ga[0.71]As: интенсивность и кинетика люминесценции в ближнем поле серебряных наночастиц

Авторы: Косарев, А. Н. Чалдышев, В. В. Вартанян, Т. А. Торопов, Н. А. Гладских, И. А. Гладских, П. В. Bayer, M. Преображенский, В. В. Путято, М. А. Семягин, Б. Р.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/692966836
Дата корректировки 10:47:16 16 декабря 2021 г.
10.21883/OS.2019.05.47655.382-18
Служба первич. каталог. Феллер
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 535.33
Косарев, А. Н.
Эпитаксиальные квантовые точки InGaAs в матрице Al[0.29]Ga[0.71]As: интенсивность и кинетика люминесценции в ближнем поле серебряных наночастиц
Электронный ресурс
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил., схем.
Библиография Библиогр.: 20 назв.
Аннотация Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены квантовые точки арсенида индия-галлия, захороненные в тонком слое арсенида алюминия-галлия. Изучено влияние серебряных наночастиц, выращенных на поверхности полупроводниковой структуры методом термического испарения в вакууме, на фотолюминесценцию квантовых точек. Получены спектры фотолюминесценции при стационарном и импульсном возбуждении квантовых точек. Исследовано влияние серебряных наночастиц, обладающих плазмонными резонансами на спектральное распределение и кинетику люминесценции эпитаксиальных квантовых точек.
эпитаксиальные квантовые точки
квантовые точки
матрицы
люминесценция
серебряные наночастицы
молекулярно-лучевая эпитаксия
арсенид индия-галлия
арсенид алюминия-галлия
термическое испарение в вакууме
фотолюминесценция
Чалдышев, В. В.
Кондиков, А. А.
Вартанян, Т. А.
Торопов, Н. А.
Гладских, И. А.
Гладских, П. В.
Акимов, И.
Bayer, M.
Преображенский, В. В.
Путято, М. А.
Семягин, Б. Р.
Оптика и спектроскопия
2019
Т. 126, вып. 5. - С. 573-577
Имя макрообъекта Косарев_эпитаксиальные
Тип документа b