| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/691242479 |
| Дата корректировки | 13:25:53 26 ноября 2021 г. |
| Стандартный номер | 10.21883/FTP.2018.13.46872.8601 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Феклистов, К. В. | |
|
Перераспределение атомов отдачи эрбия и кислорода и структура тонких приповерхностных слоев кремния, созданных высокодозной имплантацией аргона через поверхностные пленки Er и SiO[2] Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 49 назв. |
| Аннотация | С использованием аналитической высокоразрешающей электронной микроскопии исследована структура Si и перераспределение aтомов отдачи Er и O в тонких (~ 10 нм) приповерхностных слоях, внедренных с помощью имплантации Ar{+} с энергией 250-290 кэВ и дозой 1 · 10{16} см{-2) через пленки соответственно Er и SiO[2] и последующего отжига. Установлено, что рекристаллизация Si срывается на расстоянии ~ 20 нм от поверхности, где достигается критическое для срыва значение концентрации эрбия 5 · 10{19} см{-3} при T = 950°С. Это опровергает общепринятую модель переноса атомов Er фронтом рекристаллизации в SiO[2] на поверхности. Вместо этого показано, что перераспределение атомов отдачи O к исходному оксиду во время отжига при неподвижных атомах Er обеспечивает формирование поверхностно неоднородных фаз эрбия таким образом, что обогащенная кислородом фаза Er-Si-O оказывается сосредоточенной в оксиде, а обедненная фаза Er-Si остается в Si. Это объясняет частичную потерю внедренного Er после снятия оксида вместе с Er-Si-O фазой. Показано, что нетипичное для рекристаллизации (100)-Si образование большой плотности микродвойников (локально до 1013 см{-2}) связано с образованием пузырей и кластеров Ar. |
| Ключевые слова | эрбий |
|
кислород диоксид кремния атомы отдачи высокодозная имплантация аргона аргон |
|
|
Черков, А. Г. Попов, В. П. Федина, Л. И. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 52, вып. 13. - С. 1589-1596 |
| Имя макрообъекта | Феклистов_перераспределение |
| Тип документа | b |
