| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Перераспределение атомов отдачи эрбия и кислорода и структура тонких приповерхностных слоев кремния, созданных высокодозной имплантацией аргона через поверхностные пленки Er и SiO[2] Электронный ресурс |
|
| Аннотация | С использованием аналитической высокоразрешающей электронной микроскопии исследована структура Si и перераспределение aтомов отдачи Er и O в тонких (~ 10 нм) приповерхностных слоях, внедренных с помощью имплантации Ar{+} с энергией 250-290 кэВ и дозой 1 · 10{16} см{-2) через пленки соответственно Er и SiO[2] и последующего отжига. Установлено, что рекристаллизация Si срывается на расстоянии ~ 20 нм от поверхности, где достигается критическое для срыва значение концентрации эрбия 5 · 10{19} см{-3} при T = 950°С. Это опровергает общепринятую модель переноса атомов Er фронтом рекристаллизации в SiO[2] на поверхности. Вместо этого показано, что перераспределение атомов отдачи O к исходному оксиду во время отжига при неподвижных атомах Er обеспечивает формирование поверхностно неоднородных фаз эрбия таким образом, что обогащенная кислородом фаза Er-Si-O оказывается сосредоточенной в оксиде, а обедненная фаза Er-Si остается в Si. Это объясняет частичную потерю внедренного Er после снятия оксида вместе с Er-Si-O фазой. Показано, что нетипичное для рекристаллизации (100)-Si образование большой плотности микродвойников (локально до 1013 см{-2}) связано с образованием пузырей и кластеров Ar. |
| Ключевые слова | эрбий |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 52, вып. 13. - С. 1589-1596 |
| Имя макрообъекта | Феклистов_перераспределение |
