-
Диффузионно-контролируемый рост нанокристаллов Ge в пленках SiO[2] в условиях ионного синтеза под высоким давлением
Тысченко, И. Е., Черков, А. Г.
Диффузионно-контролируемый рост нанокристаллов Ge в пленках SiO[2] в условиях ионного синтеза под высоким давлением, [Электронный ресурс]
// Физика и техника полупроводников .-
2017 .-
Т. 51, вып. 10. - С. 1414-1419 .-
Тысченко_диффузионно
-
Перераспределение атомов отдачи эрбия и кислорода и структура тонких приповерхностных слоев кремния, созданных высокодозной имплантацией аргона через поверхностные пленки Er и SiO[2]
Феклистов, К. В., Черков, А. Г., Попов, В. П., Федина, Л. И.
Перераспределение атомов отдачи эрбия и кислорода и структура тонких приповерхностных слоев кремния, созданных высокодозной имплантацией аргона через поверхностные пленки Er и SiO[2], [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2018 .-
Т. 52, вып. 13. - С. 1589-1596 .-
Феклистов_перераспределение
-
Особенности ионно-лучевого синтеза нанокристаллов Ge в тонких пленках SiO[2]
Тысченко, И. Е., Черков, А. Г., Володин, В. А., Voelskow, M.
Особенности ионно-лучевого синтеза нанокристаллов Ge в тонких пленках SiO[2], [Электронный ресурс]
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 9. - С. 1289-1294
Тысченко_особенности