| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Диффузионно-контролируемый рост нанокристаллов Ge в пленках SiO[2] в условиях ионного синтеза под высоким давлением Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Изучен рост нанокристаллов германия в пленках SiO[2] в зависимости от дозы имплантированных ионов Ge{+} и температуры отжига под давлением 12 кбар. Установлено, что зависимость размеров нанокристаллов от концентрации атомов германия и от времени отжига описывается соответствующими корневыми функциями. Квадрат радиуса нанокристалла является экспоненциальной функцией обратной температуры. Полученные зависимости соответствуют модели диффузионно-контролируемого механизма роста нанокристаллов. По температурной зависимости размеров нанокристаллов определен коэффициент диффузии германия в SiO[2] под давлением 12 кбар: D = 1.1 · 10{-10} exp(-1.43/kT). Увеличение коэффициента диффузии Ge под давлением объяснено изменением активационного объема образования и миграции точечных дефектов. Получены данные в пользу межузельного механизма диффузии атомов германия к зародышам нанокристаллов в SiO[2]. |
| Ключевые слова | диффузионно-контролируемый рост |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 10. - С. 1414-1419 |
| Имя макрообъекта | Тысченко_диффузионно |
