| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/691077925 |
| Дата корректировки | 14:15:32 24 ноября 2021 г. |
| DOI | 10.21883/FTP.2018.13.46885.8937 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Кудряшов, Д. А. | |
|
Прецизионное химическое травление эпитаксиальных слоев GaP(NAs) для формирования монолитных оптоэлектронных приборов Электронный ресурс |
|
| Precise chemical etching of GaP(NAs) epitaxial layer for monolithic optoelectronic devices manufacturing | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | цв. ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 13 назв. |
| Аннотация | Приводятся результаты исследования применимости различных травителей для целей прецизионного жидкостного травления структур монолитных оптоэлектронных приборов, содержащих слои GaPNAs. Было показано, что травитель на основе иодада калия и соляной кислоты наилучшим образом подходит для данной задачи. Наличие в составе полупроводника азота (до 4%) и мышьяка не оказывает существенного влияния на работу травителя, однако требует проведения дополнительных калибровочных экспериментов по уточнению скорости травления в каждом конкретном случае. В работе представлены примеры практического применения прецизионного травления для измерения характеристик солнечных элементов на основе GaPNAs. |
| Ключевые слова | монолитные оптоэлектронные приборы |
|
прецизионное химическое травление эпитаксиальные слои иодад калия соляная кислота полупроводники |
|
|
Гудовских, А. С. Баранов, А. И. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 13. - С. 1668-1674 |
|
| Имя макрообъекта | Кудряшов_прецизионное |
| Тип документа | b |
