| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/690993442 |
| Дата корректировки | 14:45:18 23 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.12.46758.37 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Сибирев, Н. В. | |
|
Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом Электронный ресурс |
|
| Solar cells based on core/shall nanowires | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 14 назв. |
| Аннотация | Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке GaAs(111)B, легированной кремнием, были синтезированы массивы нитевидных нанокристаллов (Al, Ga)As c радиальным гетеропереходом, легированные бериллием. Исследование фотоэлектрических свойств полученных структур, проведенное с помощью эмулятора солнечного излучения со стандартным солнечным спектром AM1.5G, показало, что квантовый выход полученного солнечного элемента составляет 4.1%, а кпд - 0.4%. |
|
Сибирёв, Н. В. Буравлёв, А. Д. |
|
| Ключевые слова | нитевидные нанокристаллы |
|
молекулярно-пучковая эпитаксия радиальные гетеропереходы солнечное излучение полупроводники |
|
|
Котляр, К. П. Корякин, А. А. Штром, И. В. Убыйвовк, Е. В. Сошников, И. П. Резник, Р. Р. Буравлев, А. Д. Цырлин, Г. Э. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 52, вып. 12. - С. 1464-1468 |
| Имя макрообъекта | Сибирев_солнечный |
| Тип документа | b |
