| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/690989082 |
| Дата корректировки | 14:32:19 23 ноября 2021 г. |
| Стандартный номер | 10.21883/FTP.2018.12.46757.36 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Самарцев, И. В. | |
|
Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs Электронный ресурс |
|
| Photodetectors with an InGaAs active region and an InGaP metamorphic buffer layer grown on GaAs substrates | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 6 назв. |
| Аннотация | Приводятся результаты исследований обратных темновых токов фотодиодов на длину волны 1.06 мкм, выращенных на подложках GaAs с помощью метаморфного буферного слоя InGaP. Разработана технология выращивания методом МОС-гидридной эпитаксии метаморфных буферных слоев InGaP со ступенчатым изменением состава. Изготовлены фотодиоды с диаметром фоточувствительной площадки 1мм и входом излучения через подложку. Темновой ток фотодиодов при комнатной температуре и обратном смещении - 3В составил 50 нА. Предполагается, что объемная составляющая темнового тока обусловлена механизмом туннелирования через уровни ловушек. |
|
Алёшкин, В. Я. Дикарёва, Н. В. Чигинёва, А. Б. |
|
| Ключевые слова | фотоприемники |
|
фотодиоды фотодиодные структуры МОС-гидридная эпитаксия метаморфные буферы темновой ток гетероструктуры арсенид индия-галлия арсенид галлия фосфид индия-галлия |
|
|
Некоркин, С. М. Звонков, Б. Н. Алешкин, В. Я. Дубинов, А. А. Пашенькин, И. Ю. Дикарева, Н. В. Чигинева, А. Б. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 52, вып. 12. - С. 1460-1463 |
| Имя макрообъекта | Самарцев_фотоприемники |
| Тип документа | b |
