| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/690568935 |
| Дата корректировки | 16:47:25 18 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.12.46750.29 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Горшков, А. П. | |
|
Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой Электронный ресурс |
|
| Theconnection between the electronic properties of InAs/GaAs quantum dots grown by metal organic vapour phase epitaxy with their structure | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
| Аннотация | Основываясь на комплексном исследовании структурных и электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией при атмосферном давлении, выбрана модель их строения в виде трех сопряженных основаниями усеченных пирамид, учитывающая диффузионное размытие состава со стороны основания и боковой поверхности, а также сегрегацию индия вблизи вершины. Установлено, что волновые функции носителей в основном состоянии локализованы в сравнительно небольшой области квантовой точки вблизи ее вершины. |
| Ключевые слова | квантовые точки InAs/GaAs |
|
арсенид индия арсенид галлия газофазная эпитаксия волновые функции |
|
|
Волкова, Н. С. Павлов, Д. А. Усов, Ю. В. Истомин, Л. А. Левичев, С. Б. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 12. - С. 1507-1511 |
|
| Имя макрообъекта | Горшков_связь |
| Тип документа | b |
