| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/690557303 |
| Дата корректировки | 13:35:09 18 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.12.46768.8876 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Асрян, Л. В. | |
|
Нарушение локальной электронейтральности в квантовой яме полупроводникового лазера с асимметричными барьерными слоями Электронный ресурс |
|
| Violation of local electroneutrality in the quantum well of a semiconductor laser with asymmetric barrier layers | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 22 назв. |
| Аннотация | Разработана самосогласованная модель для расчета пороговых и мощностных характеристик полупроводниковых лазеров на квантовой яме с асимметричными барьерными слоями. Модель, основанная на системе скоростных уравнений, использует универсальное условие глобальной зарядовой нейтральности в лазерной структуре. Рассчитаны концентрации электронов и дырок в волноводной области и в квантовой яме и концентрация фотонов стимулированного излучения. Показано, что локальная нейтральность в квантовой яме сильно нарушена, особенно при высоких токах инжекции. Нарушение нейтральности в квантовой яме приводит к зависимости концентраций электронов и дырок в ней от тока инжекции в режиме лазерной генерации - в рассмотренной нами структуре концентрация электронов в квантовой яме уменьшается, а концентрация дырок увеличивается с ростом тока инжекции. В условиях идеального функционирования асимметричных барьерных слоев, когда имеет место полное подавление электронно-дырочной рекомбинации в волноводной области, нарушение нейтральности в квантовой яме практически не сказывается на зависимости мощности выходного оптического излучения от тока инжекции - квантовая эффективность близка к единице, а ватт-амперная характеристика линейна. Нарушение нейтральности в квантовой яме приводит, тем не менее, к ослаблению температурной зависимости порогового тока и, таким образом, повышению характеристической температуры T[0] лазера. |
| Ключевые слова | полупроводниковые лазеры |
|
локальная электронейтральность квантовые ямы асимметричные барьерные слои |
|
|
Зубов, Ф. И. Балезина (Полубавкина), Ю. С. Полубавкина, Ю. С. Моисеев, Э. И. Муретова, М. Е. Крыжановская, Н. В. Максимов, М. В. Жуков, А. Е. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 12. - С. 1518-1526 |
|
| Имя макрообъекта | Асрян_нарушение |
| Тип документа | b |
