| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/690378083 |
| Дата корректировки | 11:53:42 16 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.11.46586.08 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Пузанов, А. С. | |
|
Применение локально-неравновесной диффузионно-дрейфовой модели Каттанео-Вернотта для описания релаксации фототока в диодных структурах при воздействии субпикосекундных импульсов ионизирующих излучений Электронный ресурс |
|
| Application of a locally nonequilibrium diffusion-drift Cattaneo-Vernotte model for calculating the relaxation of the photocurrent in diode structures under the influence of subpicosecond pulses of ionizing radiation | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 21 назв. |
| Аннотация | Рассмотрен процесс релаксации возбуждений в электронно-дырочной плазме при воздействии ионизирующего излучения с длительностью, меньшей времени релаксации энергии и импульса подвижных носителей заряда. На примере расчета переходных ионизационных процессов в кремниевом диоде Шоттки гипервысоких частот проведено сравнение локально-равновесной и локально-неравновесной моделей переноса носителей заряда. Показано, что локально-неравновесная модель имеет более широкую область применимости для описания быстропротекающих релаксационных процессов. |
| Ключевые слова | ионизирующие излучения |
|
электронно-дырочная плазма субпикосекундные импульсы диоды Шоттки локально-неравновесная модель локально-равновесная модель |
|
|
Оболенский, С. В. Козлов, В. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 11. - С. 1295-1299 |
|
| Имя макрообъекта | Пузанов_применение |
| Тип документа | b |
