| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/689875414 |
| Дата корректировки | 16:18:14 10 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.10.46457.8820 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Макаров, А. А. | |
|
Анализ особенностей деградации, вызываемой горячими носителями, в транзисторах с каналом в форме плавника Электронный ресурс |
|
| Другая форма заглавия | Analysis of hot-carrier degradation features in FinFETs |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 32 назв. |
| Аннотация | Впервые проведено моделирование деградации, вызываемой горячими носителями (ДВГН), в непланарных полевых транзисторах с каналом в форме плавника (FinFET). Для этого использована физическая модель, которая рассматривает одночастичные и многочастичные процессы разрыва связей кремний-водород, а также их суперпозиции. Для вычисления темпа диссоциации связей используются функции распределения носителей по энергии, которые находят при решении транспортного уравнения Больцмана. С помощью анализа ДВГН показано, что деградация локализована в части канала, примыкающей к стоку транзистора, в районе верхней стенки канала. Хорошее соответствие между экспериментальными и расчетными деградационными характеристиками было получено с теми же параметрами модели, которые применялись при воспроизведении ДВГН в планарных короткоканальных транзисторах, а также в мощных полупроводниковых приборах. |
| Ключевые слова | полевые транзисторы |
|
модель деградации горячие носители кремний-водород диссоциации связей полупроводниковые приборы |
|
|
Тягинов, С. Э. Kaczer, B. Jech, M. Chasin, A. Grill, A. Hellings, G. Векслер, М. И. Linten, D. Grasser, T. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 52, вып. 10. - С. 1177-1182 |
| Имя макрообъекта | Макаров_анализ |
| Тип документа | b |
