| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/689781605 |
| Дата корректировки | 14:11:48 9 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.09.46228.8720 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Окулич, Е. В. |
|
Расчет влияния плотности ионного тока и температуры на кинетику накопления точечных дефектов при облучении кремния легкими ионами Электронный ресурс |
|
| The calculation of flux and temperature influence on damage accumulation kinetics at irradiation of Si with light ions | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 30 назв. |
| Аннотация | Выполнены численные расчеты кинетики накопления точечных дефектов - вакансий и дивакансий при облучении кремния ионами с массами M[1] <= 31 а.е.м. и энергиями E <= 100 кэВ при различных условиях облучения. Использована ранее предложенная диффузионно-коагуляционная модель, но без сделанного при ее аналитической реализации приближения "слабой диффузии". Проанализированы основные особенности зависимостей концентраций вакансий и дивакансий от дозы, плотности ионного тока и температуры при облучении. Дана физическая интерпретация полученных результатов. Разработанный вычислительный комплекс является достаточно гибким, позволяя путем вариации входных параметров модели анализировать их влияние, а также при необходимости включать в рассмотрение дополнительные процессы. |
| Ключевые слова | ионная имплантация |
|
облучение кремния кремний полупроводники ионное облучение легкие ионы кинетика накопления точечные дефекты |
|
| Другие авторы | Окулич, В. И. |
| Тетельбаум, Д. И. | |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 9. - С. 967-972 |
|
| Имя макрообъекта | Окулич_расчет |
| Тип документа | b |
