| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/689702378 |
| Дата корректировки | 16:50:49 8 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.09.46152.8865 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Колодезный, Е. С. | |
|
Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP Электронный ресурс |
|
| Effect of barrier layers doping on the photoluminescence efficiency of strained InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 12 назв. |
| Аннотация | Исследована фотолюминесценция образцов напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке InP(100), с активной областью состоящей из 9 квантовых ям In[0.74]Ga]0.26]As и дельта-легированных барьеров In[0.53]Al[0.20]Ga[0.27]As. Исследование спектров фотолюминесценции показало, что легирование примесью p-типа приводит к росту эффективности фотолюминесценции при малых уровнях возбуждения по сравнению с гетероструктурой с нелегированными барьерами, а легирование барьеров до уровня (1-2) · 10{12} см{-2} приводит к подавлению безызлучательной рекомбинации. |
| Ключевые слова | фотолюминесценция |
|
гетероструктуры молекулярно-пучковая эпитаксия дельта-легирование легирование барьеров |
|
|
Курочкин, А. С. Рочас, С. С. Бабичев, А. В. Новиков, И. И. Гладышев, А. Г. Карачинский, Л. Я. Савельев, А. В. Егоров, А. Ю. Денисов, |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 52, вып. 9. - С. 1034-1037 |
| Имя макрообъекта | Колодезный_влияние |
| Тип документа | b |
