Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP
Колодезный, Е. С., Курочкин, А. С., Рочас, С. С., Бабичев, А. В., Новиков, И. И. , Гладышев, А. Г., Карачинский, Л. Я., Савельев, А. В., Егоров, А. Ю., Денисов,
Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2018 .-
Т. 52, вып. 9. - С. 1034-1037 .-
Колодезный_влияние
