Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP - Статьи - Базы данных - БГТУ

Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP

Авторы: Колодезный, Е. С. Курочкин, А. С. Рочас, С. С. Бабичев, А. В. Новиков, И. И. Гладышев, А. Г. Карачинский, Л. Я. Савельев, А. В. Егоров, А. Ю. Денисов,

Подробная информация

Индекс УДК	621.315.592
	Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP Электронный ресурс
Аннотация	Исследована фотолюминесценция образцов напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке InP(100), с активной областью состоящей из 9 квантовых ям In[0.74]Ga]0.26]As и дельта-легированных барьеров In[0.53]Al[0.20]Ga[0.27]As. Исследование спектров фотолюминесценции показало, что легирование примесью p-типа приводит к росту эффективности фотолюминесценции при малых уровнях возбуждения по сравнению с гетероструктурой с нелегированными барьерами, а легирование барьеров до уровня (1-2) · 10{12} см{-2} приводит к подавлению безызлучательной рекомбинации.
Ключевые слова	фотолюминесценция
Название источника	Физика и техника полупроводников
Место и дата издания	2018
Прочая информация	Т. 52, вып. 9. - С. 1034-1037
Имя макрообъекта	Колодезный_влияние