Поиск

Снижение порога генерации с помощью легирования в лазерах среднего инфракрасного диапазона на основе HgCdTe с квантовыми ямами HgTe

Авторы: Дубинов, А. А. Алёшкин, В. Я. Алешкин, В. Я. Морозов, С. В.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/689525927
Дата корректировки 14:59:00 23 ноября 2021 г.
10.21883/FTP.2018.09.46159.8833
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Дубинов, А. А.
Снижение порога генерации с помощью легирования в лазерах среднего инфракрасного диапазона на основе HgCdTe с квантовыми ямами HgTe
Электронный ресурс
Reduction of the generation threshold by doping in mid-infrared lasers based on HgCdTe with HgTe quantum wells
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 15 назв.
Аннотация Предложена и проанализирована возможность значительного снижения порога межзонной генерации в лазерных структурах среднего инфракрасного диапазона на основе HgCdTe с квантовыми ямами HgTe с помощью легирования донорами путем введения гамма-слоев, расположенных вблизи квантовых ям. Показано, что при оптимальной поверхностной концентрации доноров в гамма-слое 4 · 10{10} см{-2} и рабочей температуре > 40K возможно снижение порога лазерной генерации на длине волны 20мкм более чем в 2 раза.
Алёшкин, В. Я.
Ключевые слова инфракрасный диапазон
квантовые ямы HgTe
теллурид ртути
теллурид кадмия-ртути
полупроводники
лазерная генерация
Алешкин, В. Я.
Морозов, С. В.
Физика и техника полупроводников
2018
Т. 52, вып. 9. - С. 1100-1103
Имя макрообъекта Дубинов_снижение
Тип документа b