| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/689522773 |
| Дата корректировки | 14:30:44 6 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.08.46212.8708 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Яковлев, Г. Е. | |
|
Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями Электронный ресурс |
|
| The features of electrochemical capacitance–voltage profiling of GaAs-based LED and pHEMT structures with quantum-confined regions | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 33 назв. |
| Аннотация | Методом электрохимического вольт-фарадного профилирования исследованы квантово-размерные светоизлучающие и транзисторные гетероструктуры на основе GaAs, содержащие области дельта-легирования, квантовые ямы InGaAs/GaAs и приповерхностные слои квантовых точек InAs/GaAs. Получены профили распределения концентрации свободных носителей заряда по глубине структур, определены накопленные в квантовой яме и массиве квантовых точек заряды, а также степени легирования эмиттерного и дельта-слоев. Проведено моделирование зонной структуры и распределения концентрации носителей заряда по глубине образцов с различной геометрией квантовых ям. Проанализированы особенности электрохимического вольт-фарадного профилированияв гетероструктурах различного типа. Для эффективного разделения откликов от близко расположенных слоев, в частности квантовой ямы и дельта-слоя, предложен метод интеграции вольт-фарадных характеристик на каждом этапе травления. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
|
арсенид галлия квантовые ямы светоизлучающие структуры pHEMT-структуры транзисторные гетероструктуры |
|
|
Дорохин, М. В. Зубков, В. И. Дудин, А. Л. Здоровейщев, А. В. Малышева, Е. И. Данилов, Ю. А. Звонков, Б. Н. Кудрин, А. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 8. - С. 873-880 |
|
| Имя макрообъекта | Яковлев_особенности |
| Тип документа | b |
