Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Малышева, Е. И.

Статьи. Автор - Малышева, Е. И.

• Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий
  Малышева, Е. И., Дорохин, М. В., Данилов, Ю. А., Парафин, А. Е., Ведь, М. В., Кудрин, А. В. , Здоровейщев, А. В.
  
  Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2018 .- Т. 60, вып. 11. - С. 2141-2146 .- Малышева_повышение
• Управление циркулярнойполя ризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/дельта(Mn)
  Малышева, Е. И., Демина, П. Б., Дорохин, М. В., Дёмина, П. Б., Здоровейщев, А. В. , Рыков, А. В., Ведь, М. В., Данилов, Ю. А.
  
  Управление циркулярнойполя ризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/дельта(Mn), [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2017 .- Т. 59, вып. 11. - С. 2142-2147 .- Малышева_управление
• Влияние концентрации примесей на люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs с бета-слоем Mn
  Рыков, А. В., Дорохин, М.В., Малышева, Е. И., Демина, П. Б., Вихрова, О. В., Здоровейщев, А. В.
  
  Влияние концентрации примесей на люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs с бета-слоем Mn , [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 1. - С. 3-8 Рыков_влияние
• Туннелирование и инжекция в ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As и InGaAs/n{+}-GaAs/(Ga,Mn)As
  Малышева, Е. И., Дорохин, М. В., Здоровейщев, А. В. , Ведь, М. В.
  
  Туннелирование и инжекция в ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As и InGaAs/n{+}-GaAs/(Ga,Mn)As, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2016 .- Т. 58, вып. 11. - С. 2190-2194 .- Малышева_туннелирование
• Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями
  Яковлев, Г. Е., Дорохин, М. В., Зубков, В. И., Дудин, А. Л., Здоровейщев, А. В. , Малышева, Е. И., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Кудрин, А. В.
  
  Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 8. - С. 873-880 Яковлев_особенности