| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/688476606 |
| Дата корректировки | 11:37:27 25 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.07.46044.8801 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Позина, Г. | |
|
Исследование спонтанной эмиссии в брэгговских монослойных квантовых ямах InAs Электронный ресурс |
|
| Experimental study of spontaneous emission in the Bragg multiple quantum wells structure of InAs monolayers embedded in a GaAs matrix | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 14 назв. |
| Аннотация | Экспериментально исследована фотолюминесценция с временным разрешением структуры брэгговских монослойных квантовых ям InAs в матрице GaAs. Путем сравнения спектров фотолюминесценции, измеренных с торца и с поверхности образца, установлено, что брэгговское упорядочение квантовых ям приводит к существенному изменению спектров фотолюминесценции, в частности к появлению дополнительных мод. Спектр фотолюминесценции, измеренный с торца образца, содержит одну линию, соответствующую основному состоянию экситона. В спектре излучения, измеренном с поверхности образца, при высоких уровнях возбуждения появляется дополнительная линия излучения, частота и направление распространения которой соответствуют брэгговскому условию для квантовых ям. Проведенный расчет модового фактора Парселла объясняет факт усиления спонтанной эмиссии излучения только для определенных углов распространения и частот излучения, а не для всех направлений распространения и частот, удовлетворяющих брэгговскому условию. |
| Ключевые слова | спонтанные эмиссии |
|
квантовые ямы InAs брэгговские монослойные квантовые ямы арсенид индия фотолюминесценция спектры фотолюминесценции |
|
|
Калитеевский, М. А. Никитина, Е. В. Губайдуллин, А. Р. Иванов, К. А. Егоров, А. Ю. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 7. - С. 736-740 |
|
| Имя макрообъекта | Позина_исследование |
| Тип документа | b |
