| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/688211673 |
| Дата корректировки | 10:00:53 22 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.06.45920.8661 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Пушкарeв, С. С. | |
|
Анализ особенностей кристаллической структуры НЕМТ-гетероструктур GaN/Al[0.32]Ga[0.68]N по данным рентгеновской дифрактометрии методом Вильямсона-Холла Электронный ресурс |
|
| X-ray diffraction analysis of GaN/Al[0.32]Ga[0.68]N HEMT-nanoheterostructures by Williamson-Hall method | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
| Аннотация | Показано, что аппроксимация пиков на кривых рентгеновского дифракционного отражения в режимах и w-сканирования точнее всего может быть выполнена инверсным полиномом четвeртой степени или функцией плотности вероятности при распределении Стьюдента. Эти функции хорошо описывают не только центральную, наиболее интенсивную часть экспериментального пика, но также и его малоинтенсивное расширенное основание, обусловленное диффузным рассеянием. С помощью метода Вильямсона-Холла определены средняя микродеформация и средний вертикальный размер области когерентного рассеяния D для слоeв GaN. Значение D, полученное для слоя Al[0.32]Ga[0.68]N, обусловлено, скорее всего, толщиной слоя Al[0.32]Ga[0.68]N, которая номинально составляет 11 нм. |
| Пушкарёв, С. С. | |
| Ключевые слова | рентгеновская дифрактометрия |
|
метод Вильямсона-Холла НЕМТ-гетероструктуры кристаллическая структура спектроскопия фотолюминесценции аппроксимация пиков |
|
|
Грехов, М. М. Зенченко, Н. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 6. - С. 586-590 |
|
| Имя макрообъекта | Пушкарeв_анализ |
| Тип документа | b |
