| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/687455484 |
| Дата корректировки | 16:02:16 13 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.02.45452.8652 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Тягинов, С.Э. | |
|
Физические основы самосогласованного моделирования процессов генерации интерфейсных состояний и транспорта горячих носителей в транзисторах на базе структур металл-диэлектрик-кремний Электронный ресурс |
|
| Physical principles of self-consistent modeling interface state generation and hot carrier transport in metal-oxide-semiconductor field-effect transistors | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 22 назв. |
| Аннотация | Впервые выполнено детальное моделирование деградации, вызываемой горячими носителями, основанное на самосогласованном рассмотрении транспорта носителей и генерации дефектов на границе раздела SiO[2]/Si. Данная модель апробирована с использованием деградационных данных, полученных в декананометровых n-канальных полевых транзисторах. Показано, что взаимное влияние двух указанных аспектов велико и их независимое моделирование влечет серьезные количественные ошибки. При вычислении функций распределения носителей по энергии учитывалась реальная зонная структура кремния и такие механизмы, как ударная ионизация, рассеяние на ионизованной примеси, а также электрон-фононные и электрон- электронные взаимодействия. На микроскопическом уровне генерация дефектов рассматривалась как суперпозиция одночастичного и многочастичного механизмов разрыва связи Si-H. Очень важным прикладным аспектом данной работы является тот факт, что наша модель позволяет надежно оценивать ресурс работы транзистора, подверженного воздействию горячих носителей. |
| Ключевые слова | самосогласованное моделирование |
|
горячие носители транспорт горячих носителей транзисторы металлы диэлектрики кремний программные средства моделирования генерация дефектов |
|
|
Макаров, А. А. Jech, M. Векслер, М. И. Franco, J. Kaczer, B. Grasser, T. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 2. - С. 254-259 |
|
| Имя макрообъекта | Тягинов_физические |
| Тип документа | b |
