| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/687453186 |
| Дата корректировки | 15:17:27 13 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.02.45457.8595 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Тысченко, И. Е. | |
|
Ионный синтез кристаллической фазы Ge в пленках SiO[x]N[y] при отжиге под высоким давлением Электронный ресурс |
|
| Ion-beam synthesis of Ge crystalline phase in SiO[x]N[y] films during high-pressure annealing | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 14 назв. |
| Аннотация | Изучено зарождение фазы кристаллического германия в пленках SiO[x]N[y], имплантированных ионами Ge[+] с энергией 55кэВ дозами 2.1 · 10{15}-1.7 · 10{16} см{-2}, после отжига при температуре T[a] = 800-1300°C при давлениях 1 бар и 1-12 кбар. Из анализа полосы комбинационного рассеяния света сделано заключение об увеличении размеров преципитатов аморфного германия под действием гидростатического сжатия при температуре 1000°C. Рассеяние на оптических фононах, локализованных в нанокристаллах германия, наблюдалось лишь после отжига образцов с максимальным содержанием имплантированных атомов при температуре 1300°C. В спектрах фотолюминесценции наблюдался пик при ~ 730 нм, природа которого связывается с проявлением квантово-размерного эффекта в нанокристаллах размером ~ 3нм. |
| Ключевые слова | ионный синтез |
|
германий комбинационное рассеяние света гидростатическое сжатие нанокристаллы германия оксид кремния нитрид кремния оксинитрид кремния |
|
|
Кривякин, Г. К. Володин, В. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 2. - С. 280-284 |
|
| Имя макрообъекта | Тысченко_ионный |
| Тип документа | b |
