| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/687349010 |
| Дата корректировки | 10:22:12 12 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.01.45310.27 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Штром, И. В. | |
|
Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазy Электронный ресурс |
|
| MBE growth of GaP/Si (111) nanowires with a switching of hexagonal and cubic crystal structure | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 24 назв. |
| Аннотация | Представлено теоретическое и экспериментальное описание синтеза нитевидных нанокристаллов GaP методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si (111) с использованием золота в качестве катализатора. Отношение потоков осаждаемых материалов и температура подложки кратковременно изменялись в процессе синтеза нитевидных нанокристаллов с целью исследования возможности создания наноразмерных включений различных политипов. Установлено, что изменения отношений потоков осаждаемых материалов и температуры роста приводят к контролируемому образованию включений толщиной в несколько нанометров, в том числе с кубической кристаллической структурой. |
| Служебное примечание | Сибирёв, Н. В. |
| Буравлёв, А. Д. | |
| Ключевые слова | нитевидные нанокристаллы |
|
молекулярно-пучковая эпитаксия квантовые точки гексагональная фаза кубическая фаза |
|
|
Сибирев, Н. В. Убыйвовк, Е. В. Самсоненко, Ю. Б. Хребтов, А. И. Резник, Р. Р. Буравлев, А. Д. Цырлин, Г. Э. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 1. - С. 5-9 |
|
| Имя макрообъекта | Штром_нитевидные |
| Тип документа | b |
