Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/687284733 |
Дата корректировки | 16:31:19 11 октября 2021 г. |
10.21883/FTP.2018.01.45319.8636 | |
Служба первич. каталог. | Шавель |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 621.315.592 |
Надточий, А. М. | |
Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In[0.4]Ga[0.6]As, выращенных на подложках GaAs Электронный ресурс |
|
The bimodality in arrays of In[0.4]Ga[0.6]As hybrid quantum-sized heterostructures grown on GaAs substrates | |
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
Аннотация | При помощи спектроскопии фотолюминесценции и просвечивающей электронной микроскопии исследованы гибридные квантово-размерные структуры, полученные осаждением слоев In[0.4]Ga[0.6]As различной номинальной толщины на вицинальные подложки GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии. Спектры фотолюминесценции таких структур представляют собой суперпозицию двух линий, что свидетельствует о бимодальном распределении размеров и (или) формы излучающих объектов. Доминирующая линия связана с излучением гибридных наноструктур ”квантовая яма-квантовые точки“, представляющих собой плотный массив квантовых точек относительно небольшого размера с малой энергией локализации электронов и дырок. Вторая, менее интенсивная, линия связана с излучением массива квантовых точек малой плотности и большего размера. Проведенный анализ относительной интенсивности спектральных линий при различных температурах показывает, что плотность квантовых точек большего размера возрастает при увеличении толщины осажденного слоя InGaAs. |
Ключевые слова | бимодальность |
гибридные квантово-размерные гетероструктуры гетероструктуры МОС-гидридная эпитаксия гибридные наноструктуры квантовые ямы |
|
Минтаиров, С. А. Калюжный, Н. А. Рувимов, С. C. Неведомский, В. Н. Максимов, М. В. Жуков, А. Е. |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 1. - С. 57-62 |
|
Имя макрообъекта | Надточий_оптические |
Тип документа | b |