Поиск

Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In[0.4]Ga[0.6]As, выращенных на подложках GaAs

Авторы: Надточий, А. М. Минтаиров, С. А. Калюжный, Н. А. Рувимов, С. C. Неведомский, В. Н. Максимов, М. В. Жуков, А. Е.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/687284733
Дата корректировки 16:31:19 11 октября 2021 г.
10.21883/FTP.2018.01.45319.8636
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Надточий, А. М.
Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In[0.4]Ga[0.6]As, выращенных на подложках GaAs
Электронный ресурс
The bimodality in arrays of In[0.4]Ga[0.6]As hybrid quantum-sized heterostructures grown on GaAs substrates
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 16 назв.
Аннотация При помощи спектроскопии фотолюминесценции и просвечивающей электронной микроскопии исследованы гибридные квантово-размерные структуры, полученные осаждением слоев In[0.4]Ga[0.6]As различной номинальной толщины на вицинальные подложки GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии. Спектры фотолюминесценции таких структур представляют собой суперпозицию двух линий, что свидетельствует о бимодальном распределении размеров и (или) формы излучающих объектов. Доминирующая линия связана с излучением гибридных наноструктур ”квантовая яма-квантовые точки“, представляющих собой плотный массив квантовых точек относительно небольшого размера с малой энергией локализации электронов и дырок. Вторая, менее интенсивная, линия связана с излучением массива квантовых точек малой плотности и большего размера. Проведенный анализ относительной интенсивности спектральных линий при различных температурах показывает, что плотность квантовых точек большего размера возрастает при увеличении толщины осажденного слоя InGaAs.
Ключевые слова бимодальность
гибридные квантово-размерные гетероструктуры
гетероструктуры
МОС-гидридная эпитаксия
гибридные наноструктуры
квантовые ямы
Минтаиров, С. А.
Калюжный, Н. А.
Рувимов, С. C.
Неведомский, В. Н.
Максимов, М. В.
Жуков, А. Е.
Физика и техника полупроводников
2018
Т. 52, вып. 1. - С. 57-62
Имя макрообъекта Надточий_оптические
Тип документа b