| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686764761 |
| Дата корректировки | 16:05:21 5 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.11.45095.09 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Малеев, Н. А. | |
|
Молекулярно-пучковая эпитаксия структур InGaAs/InAlAs/AlAs для гетеробарьерных варакторов Электронный ресурс |
|
| Molecular-beam epitaxy growth of InGaAs/InAlAs/AlAs structures for heterobarrier varactor diodes | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 7 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты исследований по оптимизации технологии молекулярно-пучковой эпитаксии структур InGaAs/InAlAs/AlAs для гетеробарьерных варакторов. Выбор температуры держателя подложки, скорости роста и соотношения потоков элементов III и V групп при синтезе отдельных областей гетероструктуры, толщина AlAs-вставок и качество границ барьерных слоев являются критическими параметрами для получения оптимальных характеристик гетеробарьерных варакторов. Предложенная конструкция трехбарьерных структур гетеробарьерных варакторов с непосредственно примыкающими к гетеробарьеру InAlAs/AlAs/InAlAs тонкими напряженными слоями InGaAs, рассогласованными относительно постоянной решетки подложки InP, при толщине AlAs-вставок 2.5 нм обеспечивает плотность тока утечки на уровне лучших опубликованных значений для структур гетеробарьерных варакторов с 12 барьерами и толщиной вставок 3 нм. |
| Ключевые слова | молекулярно-пучковая эпитаксия |
|
гетеробарьерные варакторы гетероструктуры барьерные слои диоды Шоттки гетеробарьерные варакторные диоды |
|
|
Беляков, В. А. Васильев, А. П. Бобров, М. А. Блохин, С. А. Кулагина, М. М. Кузьменков, А. Г. Неведомский, В. Н. Гусева, Ю. А. Малеев, С. Н. Ладенков, И. В. Фефелова, Е. Л. Фефелов, А. Г. Устинов, В. М. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 11. - С. 1484-1488 |
|
| Имя макрообъекта | Малеев_молекулярно |
| Тип документа | b |
