| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686244113 |
| Дата корректировки | 16:09:19 29 сентября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.10.45024.8547 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Кривякин, Г. К. |
|
Формирование и исследование p-i-n-структур на основе двухфазного гидрогенизированного кремния со слоем германия в i-области Электронный ресурс |
|
| Formation and study of p-i-n-structures based on two-phase hydrogenated silicon with germanium inclusions in the i-layer | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 26 назв. |
| Аннотация | Методом плазмохимического осаждения сформированы четыре пары p-i-n-структур на основе pm-Si : H (полиморфного Si : H). Структуры в каждой паре выращивались на одной подложке так, что одна из них была без Ge в i-слое, а другая содержала Ge, который осаждался слоем толщиной 10 нм методом вакуумного напыления. Пары различались между собой температурой подложки при осаждении Ge, которая была 300, 350, 400 и 450 °C. Данные электронной микроскопии показали, что структуры, полученные при 300 °C, содержали нанокристаллы Ge (nc-Ge), центрами зарождения которых являлись нанокристаллические включения на поверхности pm-Si : H. Концентрация nc-Ge увеличивалась c возрастанием температуры. Исследование вольт-амперных характеристик показало, что наличие Ge в i-слое уменьшало плотность тока короткого замыкания в p-i-n-структурах, когда они использовались как солнечные элементы, тогда как наблюдалось увеличение тока под действием освещения при обратном смещении. Полученные результаты согласуются с известными данными для структур с кластерами Ge в Si, согласно которым кластеры Ge увеличивают коэффициент поглощения света, но также увеличивают и скорость рекомбинации носителей. |
| Ключевые слова | двухфазный гидрогенизированный кремний |
|
кремний германий плазмохимическое осаждение светоизлучающие диоды фотодетекторы |
|
| Другие авторы | Володин, В. А. |
|
Шкляев, А. А. Mortet, V. More-Chevalier, J. Ashcheulov, P. Remes, Z. Stuchlikova, T. H. Stuchlik, J. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 10. - С. 1420-1425 |
|
| Имя макрообъекта | Кривякин_формирование |
| Тип документа | b |
