| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686238797 |
| Дата корректировки | 16:21:29 29 сентября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.10.45022.8580 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Дикарева, Н. В. | |
|
Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb Электронный ресурс |
|
| The dual-frequency GaAs/InGaP laser diode with GaAsSb quantum well | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 9 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты исследования GaAsSb/GaAs/InGaP лазерной структуры, выращенной методом МОС-гидридной эпитаксии. Получена устойчивая двухполосная генерация, обусловленная прямыми и непрямыми в пространстве оптическими переходами. Наблюдение суммарной частоты продемонстрировало эффективное внутрирезонаторное смешение мод в полупроводниковых лазерах такого типа. |
|
Дикарёва, Н. В. Алёшкин, В. Я. |
|
| Ключевые слова | лазерные гетероструктуры |
|
лазерные диоды МОС-гидридная эпитаксия квантовые ямы полупроводниковые лазеры |
|
|
Звонков, Б. Н. Вихрова, О. В. Некоркин, С. М. Алешкин, В. Я. Дубинов, А. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 10. - С. 1410-1413 |
|
| Имя макрообъекта | Дикарева_двухчастотный |
| Тип документа | b |
