| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686075470 |
| Дата корректировки | 16:39:11 27 сентября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.09.44877.8481 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Середин, П. В. | |
|
Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga[x]In[1-x]P на их оптические свойства Электронный ресурс |
|
| Experimental study of atomic ordering influence in Ga[x]In[1-x]P epitaxial solid solutions of their optical properties | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 37 назв. |
| Аннотация | В работе комплексом спектроскопических методов изучены свойства эпитаксиальных твердых растворов Ga[x] In[1-x]P с упорядоченным расположением атомов в кристаллической решетке, выращенных методом MOCVD на монокристаллических подложках GaAs(100). В условиях когерентного роста упорядоченного твердого раствора Ga[x] In[1-x]P на GaAs(100) появление атомного упорядочения приводит к кардинальному изменению оптических свойств полупроводника по сравнению со свойствами неупорядоченных твердых растворов, среди которых уменьшение ширины запрещенной зоны и усиление люминесценции. Впервые на основе данных дисперсионного анализа ИК-спектров отражения, а также данных УФ-спектроскопии, полученных в режиме пропускание-отражение, определены основные оптические характеристики твердых растворов Ga[x] In[1-x]P с упорядочением, а именно дисперсия коэффициента преломления, высокочастотная диэлектрическая проницаемость. Все экспериментальные результаты находятся в хорошем согласии с развитыми теоретическими представлениями. |
| Ключевые слова | эпитаксиальные твердые растворы |
|
монокристаллические подложки атомное упорядочение тетрагональная дисторсия люминесценция эпитаксиальные гетероструктуры гетероструктуры диэлектрическая проницаемость |
|
|
Голощапов, Д. Л. Леньшин, А. С. Лукин, А. Н. Худяков, Ю. Ю. Арсентьев, И. Н. Prutskij, Тatiana |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 9. - С. 1160-1167 |
| Имя макрообъекта | Середин_экспериментальные |
| Тип документа | b |
