| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/683994707 |
| Дата корректировки | 14:45:45 3 сентября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.09.44881.8512 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Гольдман, Е. И. | |
|
Генерация поверхностных электронных состояний на границе раздела кремний-сверхтонкий окисел в процессе полевого повреждения структур металл-окисел-полупроводник Электронный ресурс |
|
| The generation of surface electronic states at the silicon-ultrathin oxide interface during a field stress of metal-oxide-semiconductor structures | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 13 назв. |
| Аннотация | Проведены измерения высокочастотных вольт-фарадных характеристик структур металл-окисел-полупроводник (МОП) на n-Si-МОП подложках с толщиной окисла 39 А , подвергнутых повреждению при полевом стрессе. Показано, что воздействие на сверхтонкий изолирующий слой сильного, но допробойного, электрического поля приводит к образованию большого числа дополнительных пограничных локализованных электронных состояний с уровнем, отстоящим от дна зоны проводимости кремния на 0.14 эВ. Обнаружено, что перезарядка вновь образованных центров с ростом полевого напряжения обеспечивает накопление у границы раздела кремний-окисел избыточного заряда до 8 · 10{12} см{-2}. Время жизни, рожденных при полевом воздействии, локальных центров составляет двое суток; после этого зависимости заряда, локализованного на границе раздела полупроводник-диэлектрик, от напряжения на затворе в состояниях до стресса и после стресса практически совпадают. |
| Ключевые слова | окислы кремния |
|
кремний-окисел металл-окисел-полупроводник кремниевые структуры туннельная вольтамперная характеристика полевое повреждение полупроводники |
|
|
Левашов, С. А. Нарышкина, В. Г. Чучева, Г. В. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 9. - С. 1185-1188 |
| Имя макрообъекта | Гольдман_генерация |
| Тип документа | b |
